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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V - 2SC5200

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V - 2SC5200
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Quantité HT TTC
1 - 1 10.70$ 11.24$
2 - 2 10.16$ 10.67$
3 - 4 9.84$ 10.33$
5 - 9 9.63$ 10.11$
10 - 19 9.41$ 9.88$
20 - 29 9.09$ 9.54$
30 - 196 8.77$ 9.21$
Quantité U.P
1 - 1 10.70$ 11.24$
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3 - 4 9.84$ 10.33$
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Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V - 2SC5200. Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264 ( 2-21F1A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Diode BE: non. C (out): 200pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: Amplificateur de puissance HIFI. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 80. Marquage sur le boîtier: C5200 (Q). Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1943. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 230V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur Toshiba. Quantité en stock actualisée le 14/06/2025, 19:25.

Documentation technique

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MJL21194

MJL21194

Transistor NPN, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO–3PBL, 250V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-26...
MJL21194
Transistor NPN, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO–3PBL, 250V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO–3PBL. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Diode BE: non. C (out): 6pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Gain hFE maxi: 75. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL21193. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V
MJL21194
Transistor NPN, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO–3PBL, 250V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO–3PBL. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Diode BE: non. C (out): 6pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Gain hFE maxi: 75. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL21193. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V
Lot de 1
12.46$ TTC
(11.87$ HT)
12.46$
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FJL4315-O

FJL4315-O

Transistor NPN, 17A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V. Courant de collecteur: 17A. Boîtier: TO-264 (...
FJL4315-O
Transistor NPN, 17A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V. Courant de collecteur: 17A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: HIFI. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 80. Marquage sur le boîtier: J4315O. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) FJL4215-O. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 17A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V. Courant de collecteur: 17A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: HIFI. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 80. Marquage sur le boîtier: J4315O. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) FJL4215-O. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V
Lot de 1
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Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1A, 230V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Diode BE: non. C (out): 200pF. Diode CE: non. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: HI-FI. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 5. Marquage sur le boîtier: C5242. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 130W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1962. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 230V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V
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