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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor PNP, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V - 2SB1123T

Transistor PNP, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V - 2SB1123T
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Quantité HT TTC
1 - 4 1.62$ 1.70$
5 - 9 1.54$ 1.62$
10 - 24 1.49$ 1.56$
25 - 49 1.46$ 1.53$
50 - 99 1.42$ 1.49$
100 - 176 1.38$ 1.45$
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Transistor PNP, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V - 2SB1123T. Transistor PNP, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: pilotes de moyenne puissance, de solénoïdes, de relais et d'actionneurs et modules DC/DC. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Remarque: sérigraphie/code CMS BF. Marquage sur le boîtier: BF. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1623T. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Produit d'origine constructeur Sanyo. Quantité en stock actualisée le 14/06/2025, 23:25.

Documentation technique

Produits équivalents :

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2SA1213Y

2SA1213Y

Transistor PNP, 2A, SOT-89, 2-5K1A, 50V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selo...
2SA1213Y
Transistor PNP, 2A, SOT-89, 2-5K1A, 50V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): 2-5K1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. C (out): 40pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 120. Marquage sur le boîtier: NY. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Spec info: sérigraphie / code CMS NY. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
2SA1213Y
Transistor PNP, 2A, SOT-89, 2-5K1A, 50V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): 2-5K1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. C (out): 40pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 120. Marquage sur le boîtier: NY. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Spec info: sérigraphie / code CMS NY. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
Lot de 1
0.98$ TTC
(0.93$ HT)
0.98$

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