Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.51$ | 0.54$ |
10 - 24 | 0.49$ | 0.51$ |
25 - 49 | 0.46$ | 0.48$ |
50 - 99 | 0.43$ | 0.45$ |
100 - 249 | 0.42$ | 0.44$ |
250 - 499 | 0.37$ | 0.39$ |
500 - 4371 | 0.35$ | 0.37$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.51$ | 0.54$ |
10 - 24 | 0.49$ | 0.51$ |
25 - 49 | 0.46$ | 0.48$ |
50 - 99 | 0.43$ | 0.45$ |
100 - 249 | 0.42$ | 0.44$ |
250 - 499 | 0.37$ | 0.39$ |
500 - 4371 | 0.35$ | 0.37$ |
Transistor PNP, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V - 2SA1013. Transistor PNP, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: CTV-NF/VA. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 60. Marquage sur le boîtier: A1013. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2383. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 27/04/2025, 04:25.
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