Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.78$ | 0.82$ |
5 - 9 | 0.74$ | 0.78$ |
10 - 24 | 0.70$ | 0.74$ |
25 - 49 | 0.60$ | 0.63$ |
50 - 99 | 0.56$ | 0.59$ |
100 - 149 | 0.47$ | 0.49$ |
150 - 756 | 0.44$ | 0.46$ |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.78$ | 0.82$ |
5 - 9 | 0.74$ | 0.78$ |
10 - 24 | 0.70$ | 0.74$ |
25 - 49 | 0.60$ | 0.63$ |
50 - 99 | 0.56$ | 0.59$ |
100 - 149 | 0.47$ | 0.49$ |
150 - 756 | 0.44$ | 0.46$ |
Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 40V - 2N3904. Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 40V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (in): 8pF. C (out): 4pF. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: Transistor de commutation. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 200mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Die Construction'. Tf(max): 75 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V. Spec info: hFE 100-300 (IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc). Diode BE: non. Diode CE: non. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. Quantité en stock actualisée le 26/04/2025, 13:25.
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